किन GaN चिप्स Jammers मा यति महत्त्वपूर्ण छ?

jammers मा GaN चिप्स को महत्व निम्न पक्षहरु मा प्रतिबिम्बित छ:

- उच्च शक्ति क्षमता: GaN सँग 3.4 eV को फराकिलो ब्यान्डग्याप छ र यसको ब्रेकडाउन फिल्ड अन्य RF अर्धचालक प्रविधिहरू भन्दा 20 गुणा बढी छ। यसले उच्च-भोल्टेज र उच्च-वर्तमान संकेतहरू ह्यान्डल गर्न GaN-आधारित पावर एम्पलीफायरहरूलाई सक्षम बनाउँछ, परिणामस्वरूप उच्च-शक्ति RF आउटपुट हुन्छ। उदाहरणका लागि, एन्टि-RCIED उपकरणहरूमा, वायरलेस ट्रिगर सिग्नलहरू बाधा पुर्‍याउन उच्च-शक्ति जामिङ संकेतहरू आवश्यक हुन्छन्, र GaN चिपहरूले यो आवश्यकता पूरा गर्न र RCIED रिसीभरहरूको सामान्य सञ्चालनमा प्रभावकारी रूपमा हस्तक्षेप गर्न सक्छन्। थप रूपमा, एन्टि-UAV ज्यामरहरूमा, एक निश्चित दायरा भित्र ड्रोनहरूको सञ्चार संकेतहरू दबाउन उच्च-शक्ति उत्पादन आवश्यक हुन्छ, र GaN चिपहरूले आवश्यक शक्ति प्रदान गर्न सक्छ।

- उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया: GaN चिप्स उत्कृष्ट उच्च आवृत्ति विशेषताहरु छन् र एक व्यापक आवृत्ति दायरा मा काम गर्न सक्छन्। जम्मरहरूले सामान्यतया विभिन्न प्रकारका लक्षित संकेतहरूसँग सम्झौता गर्न धेरै फ्रिक्वेन्सीहरू कभर गर्न आवश्यक छ। उदाहरण को लागी, केहि jammers लाई 4000-8000MHz फ्रिक्वेन्सी ब्यान्ड मा ड्रोन संकेतहरु मा हस्तक्षेप गर्न को लागी काम गर्न आवश्यक छ। GaN-आधारित एम्पलीफायरहरूले यस्तो उच्च फ्रिक्वेन्सी ब्यान्डमा उच्च लाभ र उच्च-दक्षता एम्प्लीफिकेशन प्राप्त गर्न सक्छन्, विभिन्न सिग्नल फ्रिक्वेन्सीहरू र मोड्युलेसन विधिहरूमा भएका परिवर्तनहरूमा द्रुत रूपमा अनुकूलन गर्न र वास्तविक-समय हस्तक्षेपहरू प्राप्त गर्न सक्छन्।

- उच्च दक्षता: GaN चिप्समा उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता छ, जसले अन-प्रतिरोध कम गर्न र स्विचिंग गति बढाउन सक्छ, जसले गर्दा सञ्चालनको क्रममा पावर हानि कम गर्न, रूपान्तरण दक्षता सुधार गर्न र गर्मी उत्पादन घटाउन सक्छ। उदाहरणका लागि, 50-वाट GaN चिप-आधारित ज्यामर मोड्युलमा, दक्षता 45% वा त्योभन्दा माथिसम्म पुग्न सक्छ। उच्च दक्षताले मात्र ऊर्जा बचत गर्न मद्दत गर्दैन, तर जैमरलाई लामो समयसम्म स्थिर रूपमा काम गर्न सक्षम बनाउँछ, र जैमर पावर सप्लाई प्रणाली र तातो अपव्यय प्रणालीको आवश्यकताहरू कम गर्दछ, जुन उपकरणको लघुकरण र पोर्टेबिलिटीको लागि अनुकूल छ।

- राम्रो थर्मल चालकता: GaN मा राम्रो थर्मल चालकता छ, जुन चिप काम गरिरहेको बेला उत्पन्न गर्मी को अपव्यय को लागी अनुकूल छ। उच्च-शक्ति सञ्चालनको समयमा, चिपद्वारा उत्पन्न तापलाई तातो अपव्यय संरचना मार्फत छिटो बाहिर स्थानान्तरण गर्न सकिन्छ, कार्यसम्पादनमा ह्रासको समस्याबाट बच्न वा अत्यधिक तापको कारणले चिपको क्षतिबाट बच्न। उदाहरणका लागि, GaN चिप-आधारित जैमर मोड्युलमा प्रयोग गरिएको सिरेमिक ट्यूब शेलले तातो अपव्यय प्रभावलाई उल्लेखनीय रूपमा सुधार गर्न सक्छ र मोड्युलले कठोर वातावरणीय परिस्थितिहरूमा स्थिर रूपमा काम गर्छ भनेर सुनिश्चित गर्न सक्छ।

सर्कल संरक्षणको साथ GAN 50W पावर एम्पलीफायर मोड्युल

- बलियो विरोधी हस्तक्षेप क्षमता: GaN चिप्स बलियो विरोधी हस्तक्षेप क्षमता छ र अझै पनि जटिल विद्युत चुम्बकीय वातावरण मा स्थिर प्रदर्शन कायम राख्न सक्छ। Jammers लाई अक्सर विभिन्न हस्तक्षेप संकेतहरूले भरिएको वातावरणमा काम गर्न आवश्यक छ। GaN चिप्सको उत्कृष्ट एन्टी-हस्तक्षेप क्षमताले यो सुनिश्चित गर्न सक्छ कि जामरहरूले सही रूपमा हस्तक्षेप संकेतहरू उत्पन्न गर्न सक्छन् र अन्य हस्तक्षेप संकेतहरूबाट प्रभावित नभई प्रभावकारी रूपमा लक्षित संकेतहरूमा हस्तक्षेप गर्न सक्छन्।